Frage nach IGBT

[Yaozhong]

Hallo alle,

Momentan studiere ich MOSFET und IGBT. Beim NPN Leistungsmosfet gab es ein Ladungsträgerfluss für Elektrone von Source nach Drain, die Elektrone als Ladungsträger den Hauptstrom (Drainstrom) tragen. Aber beim IGBT gab es zwei Ladungsträgerflüsse, und zwar der Elektronefluss und der Löcherfluss, ich bin mir nicht sicher, welcher der zwei Flüsse den Hauptstrom (Kollektorstrom) tragen? Und wieso ist die Kollektor-Emitter-Spannung des IGBT geringer?

Besten Danke!

 

[Pumukel]

IGBT: Wie funktioniert ein Insulated Gate Bipolar Transistor?

 

[leerbua]

?

Muß ich mir jetzt Sorgen machen, oder habe ich lediglich damals in der Schule, bei Grundlagen & Schaltungen der Elektroinstallation nicht aufgepasst?

 

[bigdie]

IGBT ist einfach eine Kombination aus Mosfet und Bipolartransistor. Der "Leistungsteil ist dabei Bipolar. Man hat also zwischen Emitter und Kollektor die üblichen 0,6V im durchgesteuerten Zustand. Vorteil ist der geringe Strom für die Ansteuerung. Allerdings hat der Mosfet Eingang oft eine sehr hohe Gate-Kapazität. Bei hohen Frequenzen ist dann der Umladestrom sehr hoch.

 

[Knogle]

IGBT ist einfach eine Kombination aus Mosfet und Bipolartransistor. Der "Leistungsteil ist dabei Bipolar. Man hat also zwischen Emitter und Kollektor die üblichen 0,6V im durchgesteuerten Zustand. Vorteil ist der geringe Strom für die Ansteuerung. Allerdings hat der Mosfet Eingang oft eine sehr hohe Gate-Kapazität. Bei hohen Frequenzen ist dann der Umladestrom sehr hoch.

Beantwortet aber nicht die Frage
Ist eher ein Fall für die Akademiker im mikrocontroller.net Forum.

 

[Pumukel]

Der TE scheint schon Schwierigkeiten beim Verständnis eines PN -Übergangs zu haben . Auch Mosfets haben diese ! So und die Uce hängt davon ab wie weit der Transistor durch gesteuert wird . Dabei spielt es Keine Rolle ob der Transistor mit einem Basisstrom an der Basis oder eben über einen Mosfet gesteuert wird . Beim IGBT stellt vereinfacht gesagt der Mosfet den Basisstrom des Transistors bereit !