weiss cniht was die wirkungsweise ist. am besten kurz
Na zu kurz geht es nicht.
1. Eigenleitung von Si,Ge:
In typischen Halbleitermaterialien wie Si,Ge sind alle Elektronen im Kristallgitter gebunden. Allerdings gehört nicht viel Energie dazu, si zu lösen und dann kann der Kristall Strom leiten. Widerstand nimmt mit Temperatur ab.
2. Störstellen in dotiertem Material:
Bringt man Fehlstellen in die Kristalle ein, z.B. durch Zumischen von etwas Arsen (5 Außenelektronen) so ist eines übrig. Dies kann durch das Kristallgitter "springen" und erhöht dadurch die Leitfähigkeit (N-Halbleiter). Nimmt man dagegen Aluminium (3 Außenelektronen) so fehlt eines. Das Loch kan vom benachbarten Si-Atom aufgefüllt werden. So kann es durch das Kristallgitter "springen" und erhöht dadurch die Leitfähigkeit (P-Halbleiter).
3. PN-Übergang:
Bringt man in einem HL P- und einen N-Bereich zusammen, so fallen im Übergangsbereich die Elektronen aus dem N-Ber. in die Löcher vom P-Bereich, bis es in dieser Zone keine Ladungsträger mehr gibt. Er leitet nicht mehr. Legt man genügend Spannung an, so "schiebt" die Spannungsquelle fortwährend neue Elektronen in den N-Ber, und "saugt" aus dem P-Ber. welche ab. Im Übergasng "fallen" dann Elektronen aus dem N-Ber. in die Löcher vom P-Bereich (Rekombination). In LEDs senden sie dabei Licht aus. Kehrt man die Richtung der Spannung um, wächst der Bereich, indem keine Ladungsträger sind, in die Tiefe. Es findet keine Leitung statt. Der PN-Übergang leitet also in einer Richtung (Diode).
4. Transistor:
Die Strecke Basis-Emitter stellt eine Diode in Durchlaßrichtung dar, die Strecke Basis-Kollektor eine Diode in Sperrichtung. Die Basis ist sehr schmall. Durch den Strom in E-B werden Ladungsträger frei, die in den Übergang B-C gelangen können, bevor sie rekombinieren. Die Übergangszone wird sozusagen "überschwemmt". Dadurch kann ein Strom von E nach C fließen.
Wem's nicht reicht oder zu ungenau ist: Wikipedia
