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Luca
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Hallo zusammen,
ich habe einen IGBT mit integrierter antiparalleler Diode (Datenblatt im Anhang).
Für die Berechnung der Schaltverluste benötige ich die Ein- und
Ausschaltenergien sowohl des IGBTs als auch der Diode. Im Datenblatt
werden nur die allgemeinen Ein- und Ausschaltenergien des IGBT erwähnt,
aber es wird angegeben, dass die Energien auch die Verluste der reverse
recovery der Diode enthalten. Meine Frage lautet: Bedeutet dies, dass
die Energien Eon und Eoff das Modul bereits vollständig
charakterisieren, einschließlich IGBT und Freilaufdiode?
Und der zweite Teil der Frage: Wenn dies der Fall ist, kann nur der
Gesamtverlust des Moduls bestimmt werden, aber nicht in die Anteile von
IGBT und Diode aufgeteilt werden. Wie berechne ich dann den
Wärmewiderstand zum Gehäuse? Kann ich einfach eine Parallelschaltung des
thermischen IGBT-Widerstands und des thermischen Diodenwiderstands
annehmen? (und dann mit der Gesamtleistung des Moduls multiplizieren)
Vielen Dank im Voraus für eure Unterstützung!
ich habe einen IGBT mit integrierter antiparalleler Diode (Datenblatt im Anhang).
Für die Berechnung der Schaltverluste benötige ich die Ein- und
Ausschaltenergien sowohl des IGBTs als auch der Diode. Im Datenblatt
werden nur die allgemeinen Ein- und Ausschaltenergien des IGBT erwähnt,
aber es wird angegeben, dass die Energien auch die Verluste der reverse
recovery der Diode enthalten. Meine Frage lautet: Bedeutet dies, dass
die Energien Eon und Eoff das Modul bereits vollständig
charakterisieren, einschließlich IGBT und Freilaufdiode?
Und der zweite Teil der Frage: Wenn dies der Fall ist, kann nur der
Gesamtverlust des Moduls bestimmt werden, aber nicht in die Anteile von
IGBT und Diode aufgeteilt werden. Wie berechne ich dann den
Wärmewiderstand zum Gehäuse? Kann ich einfach eine Parallelschaltung des
thermischen IGBT-Widerstands und des thermischen Diodenwiderstands
annehmen? (und dann mit der Gesamtleistung des Moduls multiplizieren)
Vielen Dank im Voraus für eure Unterstützung!